Вызывные устройства телефонных аппаратов

Вызывные устройства телефонных аппаратов

Вызывные устройства телефонных аппаратов

Разновидности и особенности вызывных узлов телефонных аппаратов

Схема ВУ, применяемая в большинстве недорогих импортных ТА, приведена на рис. 3.1.

Выключатель SA1 предназначен для отключения звонка. Конденсатор С1 является разделительным для постоянного тока линии. Его сопротивление переменному сигналу индукторного вызова составляет 12 кОм.

Схема представляет собой мультивибратор, который работает на частоте резонанса пьезоэлектрического излучателя порядка 3,5 кГц.

Пьезоэлектрический излучатель представляет собой металлическую пластину В, на которой размещен кристалл искусственного пьезоэлектрика (двуокись кремния). Внешняя поверхность кристалла металлизирована двумя контактными плоскостями R и G. Если приложить напряжение между пластиной — В и одной из плоскостей металлизации — R, то кристалл будет деформироваться и, тем самым, создавать звуковые колебания. Упругие колебания кристалла в свою очередь генерируют напряжение на гранях кристалла (на плоскости металлизации — G).

ВУ работает следующим образом.

Напряжение положительного полупериода вызывного сигнала через конденсатор С1 и резистор R1, являющийся коллекторной нагрузкой транзистора VT1, прикладывается к обкладкам В — R пьезоэлектрика, что приводит к деформации последнего и излучению звукового сигнала, усиливаемого металлической мембраной (обкладкой) — В. Деформация пьезоэлектрика, вызванная приложенным к обкладкам В — R напряжением, вызывает появление напряжения положительной полярности между обкладками В — G. Через резистор R3, ограничивающий ток базы, это напряжение прикладывается к эмиттерному переходу VT1 и открывает его. Открытый транзистор шунтирует обкладки В — R, что приводит к уменьшению приложенной) к ним напряжения и, как следствие, обратной деформации пьезоэлектрика. Обратная деформация пьезоэлектрика вызывает появление напряжения отрицательной полярности между обкладками В — G, которое через резистор R3 прикладывается к переходу эмиттер — база транзистора VT1 и запирает его.

Закрытый транзистор обладает большим сопротивлением, вследствие чего практически все напряжение вызывного сигнала вновь прикладывается к обкладкам В — R пьезоэлектрика и вновь вызывает его деформацию, появление положительного напряжения, открывание транзистора, т.е. процесс повторяется.

Таким образом, на протяжении положительного полупериода вызывного сигнала АТС частотой 25 Гц, возникают автоколебания с резонансной частотой пьезоэлектрика равной приблизительно 3,5 кГц. Отрицательный полупериод вызывного сигнала запирает транзистор и автоколебания прекращаются.

Резистор R2 устанавливает начальное смещение на базе транзистора VT1.

Следует отметить, что номиналы конденсатора С1 и сопротивлений R1 — R3 могут отличаться от приведенных на схеме, так как в определенных пределах не оказывают существенного влияния на ее работу.

При замене транзистора VT1 на транзистор структуры р-n-р схема будет работать аналогично, с тем лишь отличием, что автоколебания будут возникать во время отрицательного полупериода вызывного сигнала.

Если на входе вызывного устройства установить диодный мост VD1 — VD4 (рис. 3.2), то генератор будет работать при обоих полупериодах вызывного сигнала, что приведет к увеличению громкости звучания. Стабилитрон VD5 с напряжением стабилизации порядка 36 — 47 В устраняет подзвонку пьезоэлектрического излучателя при наборе номера, т.к. для величины напряжения коммутации линии он представляет значительное сопротивление, в то время как для вызывного сигнала он препятствия практически не оказывает.

В спаренном телефоне это устраняет непрерывное пощелкивание.

Необходимо убедиться в том, что пластина пьезоэлектрического излучателя не стеснена (сжата) элементами её крепления или другими деталями ТА, что может привести к снижению громкости ВУ.

Увеличить громкость пьезоизлучателя можно также путём увеличения площади центрального электрода G в 2 — 3 раза, сделав прорезь на металлизированной поверхности электрода R и соединив отделённую часть с электродом G.

В отечественных ТА в качестве ВУ часто используется схема на специализированной ИС КР1008ВЖ4, которую производит концерн РОДОН в г. Ивано-Франковске. Микросхема позволяет воспроизводить три различные мелодии вызывного сигнала с соотношениями частот: 5/6, 4/5, 4/6/5.

Основные электрические параметры ИС КР1008ВЖ4:

    -напряжение питания    Ucc = 6 — 15 В. -ток потребления    Icс — не более 50 мкА (при Ucc =6 В), не более 100 мкА (при Ucc = 15 В).

Микросхема требует внимательного обращения, так как допустимое значение статического потенциала составляет 30 В.

Структурная схема ИС представлена на рис. 3.3, назначение выводов в таблице 3.1.

Табл. 3.1. Назначение выводов микросхемы КР1008ВЖ4.